制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:250 mA
Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:300 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1 mm
长度:2.9 mm
产品:MOSFET Small Signal
系列:BS870
晶体管类型:1 N-Channel
类型:Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度:1.3 mm
商标:Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值:80 mS
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:5 ns
典型接通延迟时间:2 ns
单位重量:8 mg
