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品牌IR
批号2021+
封装SOP-8
数量14638
描述
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
原厂标准交货期16 周
详细描述
MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-55V-4.7A-3.4A-2W-表
数据列表IRF7343PbF;
标准包装4,000
包装标准卷带
零件状态
有源
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列HEXFET®
其它名称IRF7343PBFTR
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.7A,3.4A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO