IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF

MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-55V-4.7A-3.4A-2W IRF7343PbF; 标准包装4,000 包装标准卷带

    产品详情

    品牌IR

    批号2021+

    封装SOP-8

    数量14638

    描述

    MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)

    原厂标准交货期16 周

    详细描述

    MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-55V-4.7A-3.4A-2W-表

    数据列表IRF7343PbF;

    标准包装4,000

    包装标准卷带

    零件状态

    有源

    产品族晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

    系列HEXFET®

    其它名称IRF7343PBFTR

    FET 类型N 和 P 沟道

    FET 功能标准

    漏源电压(Vdss)55V

    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.7A,3.4A

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA

    功率 - 最大值2W

    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型表面贴装型

    封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装8-SO