STD13N60M2
STD13N60M2

STD13N60M2

STD13N60M2 器件型号：STD13N60M2 器件类别：分立半导体    晶体管    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 600V 11A

    Brand NameSTMicroelectronics
    是否Rohs认证符合
    包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
    Reach Compliance Codecompliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time16 weeks
    雪崩能效等级（Eas）125 mJ
    外壳连接DRAIN
    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压600 V
    最大漏极电流 (ID)11 A
    最大漏源导通电阻0.38 Ω
    FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码TO-252
    JESD-30 代码R-PSSO-G2
    元件数量1
    端子数量2
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度150 °C
    最低工作温度-55 °C
    封装主体材料PLASTIC/EPOXY
    封装形状RECTANGULAR
    封装形式SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
    表面贴装YES
    端子形式GULL WING
    端子位置SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
    晶体管应用SWITCHING
    晶体管元件材料SILICON
    Base Number Matches1

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