STD16NF25
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STD16NF25

STD16NF25 器件型号:STD16NF25 器件类别:分立半导体    晶体管    漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:235mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道

    产品详情

    • STD16NF25

    • 器件型号:STD16NF25

    • 器件类别:分立半导体    晶体管   

    • 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:235mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道

    Brand NameSTMicroelectronics
    是否Rohs认证符合
    包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
    针数3
    Reach Compliance Codenot_compliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time12 weeks
    雪崩能效等级(Eas)100 mJ
    外壳连接DRAIN
    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压250 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)13 A
    最大漏极电流 (ID)13 A
    最大漏源导通电阻0.235 Ω
    FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码R-PSSO-G2
    JESD-609代码e3
    湿度敏感等级1
    元件数量1
    端子数量2
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度150 °C
    封装主体材料PLASTIC/EPOXY
    封装形状RECTANGULAR
    封装形式SMALL OUTLINE
    峰值回流温度(摄氏度)260
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)90 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)52 A
    认证状态Not Qualified
    表面贴装YES
    端子面层MATTE TIN
    端子形式GULL WING
    端子位置SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间30
    晶体管应用SWITCHING
    晶体管元件材料SILICON
    Base Number Matches1