STD35P6LLF6
STD35P6LLF6

STD35P6LLF6

STD35P6LLF6 器件型号：STD35P6LLF6 器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)    漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,60V,35A,28mΩ@10V

    属性参数值
    漏源电压（Vdss）60V
    连续漏极电流（Id）（25°C 时）35A(Tc)
    栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
    漏源导通电阻28mΩ @ 17.5A,10V
    最大功率耗散（Ta=25°C）70W(Tc)
    类型P沟道

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