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STF13N60M2

分类:ST

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发布时间:2021-08-18 18:32

简介:STF13N60M2 器件型号:STF13N60M2 器件类别:分立半导体    晶体管    漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟

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漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,11A,380mΩ@10V

Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1