STF13N60M2
STF13N60M2

STF13N60M2

STF13N60M2 器件型号：STF13N60M2 器件类别：分立半导体    晶体管    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,11A,380mΩ@10V

    Brand NameSTMicroelectronics
    是否Rohs认证符合
    包装说明,
    Reach Compliance Codecompliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time16 weeks
    峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
    处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
    Base Number Matches1

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