STF13N80K5
STF13N80K5

STF13N80K5

STF13N80K5 器件型号：STF13N80K5 器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)    漏源电压（Vdss）：800V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 100uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：800V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 100uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 800V 12A

    属性参数值
    漏源电压（Vdss）800V
    连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A(Tc)
    栅源极阈值电压5V @ 100uA
    漏源导通电阻450mΩ @ 6A,10V
    最大功率耗散（Ta=25°C）35W(Tc)
    类型N沟道

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