功率器件（MOSFET / IGBT）

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STF18N60M2

分类：功率器件（MOSFET / IGBT）

点击：468

发布时间：2021-08-18 18:36

简介：STF18N60M2 器件型号：STF18N60M2 器件类别：分立半导体    晶体管    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟

详情 | PRODUCT DETAILS

漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道

Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID222079
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryTransistor
Samacsys Package CategoryTransistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint NameTO-220FP_1
Samacsys Released Date2015-11-03 12:30:39
Is SamacsysN
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

产品系列

Products

微控制器（MCU单片机）功率器件（MOSFET / IGBT）网络通讯芯片电机驱动ICWiFi蓝牙模组存储器件（NOR FLASH，NAND FLASH DDR ）电源管理IC传感器（陀螺仪）

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