STF18N60M2
STF18N60M2

STF18N60M2

STF18N60M2 器件型号：STF18N60M2 器件类别：分立半导体    晶体管    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道

    Brand NameSTMicroelectronics
    是否Rohs认证符合
    包装说明,
    Reach Compliance Codecompliant
    ECCN代码EAR99
    Samacsys Confidence3
    Samacsys StatusReleased
    Samacsys PartID222079
    Samacsys Pin Count3
    Samacsys Part CategoryTransistor
    Samacsys Package CategoryTransistor Outline, Vertical
    Samacsys Footprint NameTO-220FP_1
    Samacsys Released Date2015-11-03 12:30:39
    Is SamacsysN
    峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
    处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
    Base Number Matches1

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