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漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:165mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:N沟道 N沟道,600V,20A,165mΩ@10V
Brand Name | STMicroelectronics |
厂商名称 | STMICROELECTRONICS |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 16 weeks |
Samacsys Description | NULL |
雪崩能效等级(Eas) | 610 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 20 A |
最大漏极电流 (ID) | 20 A |
最大漏源导通电阻 | 0.165 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |