漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 N-CH 650V 5.4A
Brand Name | STMicroelectronics |
厂商名称 | STMICROELECTRONICS |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 12 weeks |
其他特性 | ULTRA LOW-ON RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas) | 125 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 650 V |
最大漏极电流 (ID) | 5.4 A |
最大漏源导通电阻 | 1.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 21.6 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |