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功率器件（MOSFET / IGBT）
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STF6N65K3
分类：功率器件（MOSFET / IGBT）
点击：457
发布时间：2021-08-18 18:43
简介：STF6N65K3 器件型号：STF6N65K3 器件类别：分立半导体 晶体管 漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
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漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 2.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N-CH 650V 5.4A
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | STMICROELECTRONICS |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| 其他特性 | ULTRA LOW-ON RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 125 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 5.4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 21.6 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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