STGP19NC60KD
STGP19NC60KD

STGP19NC60KD

STGP19NC60KD 器件型号：STGP19NC60KD 器件类别：分立半导体    晶体管    集电极电流（Ic）（最大值）：35A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.75V @ 15V,12A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA Vce=600V，Ic=

    产品详情

    集电极电流（Ic）（最大值）：35A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.75V @ 15V,12A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA Vce=600V，Ic=35A，Vce(sat)=2.0V

    Brand NameSTMicroelectronics
    是否Rohs认证符合
    零件包装代码TO-220AB
    包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
    针数3
    Reach Compliance Codecompliant
    ECCN代码EAR99
    最大集电极电流 (IC)35 A
    集电极-发射极最大电压600 V
    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    门极发射器阈值电压最大�6.5 V
    门极-发射极最大电压20 V
    JEDEC-95代码TO-220AB
    JESD-30 代码R-PSFM-T3
    元件数量1
    端子数量3
    最高工作温度150 °C
    封装主体材料PLASTIC/EPOXY
    封装形状RECTANGULAR
    封装形式FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)125 W
    认证状态Not Qualified
    表面贴装NO
    端子形式THROUGH-HOLE
    端子位置SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
    晶体管应用POWER CONTROL
    晶体管元件材料SILICON
    标称断开时间 (toff)270 ns
    标称接通时间 (ton)38 ns
    Base Number Matches1

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