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功率器件（MOSFET / IGBT）
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STGP19NC60KD
分类：功率器件（MOSFET / IGBT）
点击：417
发布时间：2021-08-18 22:57
简介：STGP19NC60KD 器件型号：STGP19NC60KD 器件类别：分立半导体 晶体管 集电极电流（Ic）（最大值）：35A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.75V @ 15V,12A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA Vce=600V，Ic=
详情 | PRODUCT DETAILS
集电极电流（Ic）（最大值）：35A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.75V @ 15V,12A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA Vce=600V，Ic=35A，Vce(sat)=2.0V
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 35 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大� | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 270 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 38 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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