STP10NK70ZFP
STP10NK70ZFP

STP10NK70ZFP

STP10NK70ZFP 器件型号：STP10NK70ZFP 器件类别：分立半导体    晶体管 漏源电压（Vdss）：700V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道 N沟道700V/8.

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：700V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道 N沟道700V/8.6A/0.75Ω/TO-220FP带齐纳保护功率MOS管

    Brand NameSTMicroelectronics
    厂商名称STMICROELECTRONICS
    零件包装代码TO-220AB
    包装说明TO-220FP, 3 PIN
    针数3
    Reach Compliance Codenot_compliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time12 weeks
    Samacsys DescriptionNULL
    雪崩能效等级（Eas）350 mJ
    外壳连接ISOLATED
    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压700 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)8.6 A
    最大漏极电流 (ID)8.6 A
    最大漏源导通电阻0.85 Ω
    FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码TO-220AB
    JESD-30 代码R-PSFM-T3
    JESD-609代码e3
    元件数量1
    端子数量3
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度150 °C
    封装主体材料PLASTIC/EPOXY
    封装形状RECTANGULAR
    封装形式FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)35 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)34 A
    认证状态Not Qualified
    表面贴装NO
    端子面层Matte Tin (Sn)
    端子形式THROUGH-HOLE
    端子位置SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
    晶体管应用SWITCHING
    晶体管元件材料SILICON

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