功率器件(MOSFET / IGBT)

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STTH30R06CW

分类:功率器件(MOSFET / IGBT)

点击:413

发布时间:2021-08-19 15:13

简介:STTH30R06CW 器件型号:STTH30R06CW 器件类别:分立半导体    二极管    厂商名称:STMICROELECTRONICS 反向恢复时间(trr):50ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):15A 正向压降(Vf):2.9V @ 15A

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反向恢复时间(trr):50ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):15A 正向压降(Vf):2.9V @ 15A

Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称STMICROELECTRONICS
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time11 weeks
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流120 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED