功率器件(MOSFET / IGBT)

功率器件(MOSFET / IGBT)

主页  > 产品中心  > 功率器件(MOSFET / IGBT)  > STTH5R06B-TR

STTH5R06B-TR

分类:功率器件(MOSFET / IGBT)

点击:435

发布时间:2021-08-19 15:17

简介:STTH5R06B-TR 器件型号:STTH5R06B-TR 器件类别:分立半导体    二极管    厂商名称:STMICROELECTRONICS 反向恢复时间(trr):25ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):2.9V @ 5A 600V 5A

详情 | PRODUCT DETAILS

反向恢复时间(trr):25ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):2.9V @ 5A 600V 5A

Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称STMICROELECTRONICS
零件包装代码DPAK
包装说明DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time11 weeks
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.04 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30