功率器件(MOSFET / IGBT)

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STTH8S06D

分类:功率器件(MOSFET / IGBT)

点击:558

发布时间:2021-08-19 15:24

简介:STTH8S06D 器件型号:STTH8S06D 器件类别:分立半导体    二极管    厂商名称:STMICROELECTRONICS 反向恢复时间(trr):12ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):3.4V @ 8A

详情 | PRODUCT DETAILS

反向恢复时间(trr):12ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):3.4V @ 8A

Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称STMICROELECTRONICS
零件包装代码TO-220AC
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time11 weeks
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.9 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.018 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED