STW26NM60N
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STW26NM60N

STW26NM60N 器件型号：STW26NM60N 器件类别：分立半导体    晶体管    厂商名称：STMICROELECTRONICS 漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W 类型：N沟道 N沟道

    Brand NameSTMicroelectronics
    是否Rohs认证符合
    零件包装代码TO-247
    包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
    针数3
    Reach Compliance Codenot_compliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time16 weeks
    雪崩能效等级（Eas）610 mJ
    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压600 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
    最大漏极电流 (ID)20 A
    最大漏源导通电阻0.165 Ω
    FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码TO-247
    JESD-30 代码R-PSFM-T3
    JESD-609代码e3
    元件数量1
    端子数量3
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度150 °C
    封装主体材料PLASTIC/EPOXY
    封装形状RECTANGULAR
    封装形式FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)140 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
    认证状态Not Qualified
    表面贴装NO
    端子面层Tin (Sn)
    端子形式THROUGH-HOLE
    端子位置SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
    晶体管应用SWITCHING
    晶体管元件材料SILICON
    Base Number Matches1

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