STW48N60M2
STW48N60M2

STW48N60M2

STW48N60M2 器件型号：STW48N60M2 器件类别：分立半导体    晶体管    厂商名称：STMICROELECTRONICS 漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 21A,10V 最大功率耗

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,42A,70mAat10V

    Brand NameSTMicroelectronics
    厂商名称STMICROELECTRONICS
    Reach Compliance Codecompliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time16 weeks
    配置Single
    最大漏极电流 (Abs) (ID)42 A
    FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最高工作温度150 °C
    峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)300 W
    表面贴装NO
    处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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