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功率器件（MOSFET / IGBT）
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STW48N60M2
分类：功率器件（MOSFET / IGBT）
点击：445
发布时间：2021-08-19 15:33
简介：STW48N60M2 器件型号：STW48N60M2 器件类别：分立半导体 晶体管 厂商名称：STMICROELECTRONICS 漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 21A,10V 最大功率耗
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STW48N60M2
器件型号：STW48N60M2
厂商名称：STMICROELECTRONICS
漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,42A,70mAat10V
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | STMICROELECTRONICS |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 16 weeks |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 42 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
| 表面贴装 | NO |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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