STW70N60DM2
STW70N60DM2

STW70N60DM2

STW70N60DM2 器件型号：STW70N60DM2 器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)    厂商名称：STMICROELECTRONICS 漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 33A,10V 最

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：446W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,66A,42mΩ@10V

    属性参数值
    漏源电压（Vdss）600V
    连续漏极电流（Id）（25°C 时）66A(Tc)
    栅源极阈值电压5V @ 250uA
    漏源导通电阻42mΩ @ 33A,10V
    最大功率耗散（Ta=25°C）446W(Tc)
    类型N沟道

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