• STP15810

• 器件型号：STP15810

• 器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)   

• 厂商名称：ST(意法半导体)

漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,110A,0.0042Ω@10V