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STP110N8F6 器件型号:STP110N8F6 器件类别:分立半导体 晶体管 厂商名称:ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=2
器件型号:STP110N8F6
器件类别:分立半导体 晶体管
厂商名称:ST(意法半导体)
漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道 N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V