2N7002ET1G
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2N7002ET1G 器件型号：2N7002ET1G 器件类别：分立半导体    晶体管    厂商名称：ON Semiconductor 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：260mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 240mA,10V 最大功率耗散

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：260mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 240mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道 N沟道,60V,0.31A,2.5Ω@10V

    Brand NameON Semiconductor
    是否无铅不含铅
    厂商名称ON Semiconductor
    零件包装代码SOT-23
    包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
    针数3
    制造商包装代码318-08
    Reach Compliance Codecompliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time11 weeks 4 days
    Samacsys Confidence3
    Samacsys StatusReleased
    Samacsys PartID170972
    Samacsys Pin Count3
    Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
    Samacsys Package CategorySOT23 (3-Pin)
    Samacsys Footprint NameSOT-
    Samacsys Released Date2015-07-01 13:10:15
    Is SamacsysN
    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压60 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)0.26 A
    最大漏极电流 (ID)0.26 A
    最大漏源导通电阻2.5 Ω
    FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码TO-236
    JESD-30 代码R-PDSO-G3
    JESD-609代码e3
    湿度敏感等级1
    元件数量1
    端子数量3
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度150 °C
    最低工作温度-55 °C
    封装主体材料PLASTIC/EPOXY
    封装形状RECTANGULAR
    封装形式SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）260
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)0.3 W
    认证状态Not Qualified
    表面贴装YES
    端子面层Tin (Sn)
    端子形式GULL WING
    端子位置DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间40
    晶体管应用SWITCHING
    晶体管元件材料SILICON
    Base Number Matches1

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