NTZD3154NT1G
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NTZD3154NT1G 器件型号：NTZD3154NT1G 器件类别：分立半导体    晶体管    厂商名称：ON Semiconductor 漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：540mA 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：550mΩ @ 540mA,4.5V 最大功率

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：540mA 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：550mΩ @ 540mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250mW 类型：双N沟道 双N沟道,20V,540mA

    Brand NameON Semiconductor
    是否无铅不含铅
    厂商名称ON Semiconductor
    包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
    针数6
    制造商包装代码463A-01
    Reach Compliance Codecompliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time1 week
    Samacsys Confidence3
    Samacsys StatusReleased
    Samacsys PartID226894
    Samacsys Pin Count6
    Samacsys Part CategoryTransistor
    Samacsys Package CategorySO Transistor Flat Lead
    Samacsys Footprint NameSOT-563 6 LEAD CASE 463A-01 ISSUE O
    Samacsys Released Date2015-08-31 15:45:02
    Is SamacsysN
    配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压20 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)0.54 A
    最大漏极电流 (ID)0.54 A
    最大漏源导通电阻0.55 Ω
    FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反馈电容 (Crss)20 pF
    JESD-30 代码R-PDSO-F6
    JESD-609代码e3
    湿度敏感等级1
    元件数量2
    端子数量6
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度150 °C
    封装主体材料PLASTIC/EPOXY
    封装形状RECTANGULAR
    封装形式SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）260
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)0.25 W
    认证状态Not Qualified
    表面贴装YES
    端子面层Tin (Sn)
    端子形式FLAT
    端子位置DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间40
    晶体管应用SWITCHING
    晶体管元件材料SILICON
    Base Number Matches1

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