NTMFS4C10NT1G
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NTMFS4C10NT1G 器件型号：NTMFS4C10NT1G 器件类别：分立半导体    晶体管    厂商名称：ON Semiconductor 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.2A 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.95mΩ @ 30A,10V 最大功

    产品详情

    漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.2A 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.95mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道

    Brand NameON Semiconductor
    是否无铅不含铅
    是否Rohs认证符合
    厂商名称ON Semiconductor
    包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
    针数5
    制造商包装代码488AA
    Reach Compliance Codenot_compliant
    ECCN代码EAR99
    Factory Lead Time12 weeks
    Samacsys DescriptionMOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
    外壳连接DRAIN
    配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压30 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)46 A
    最大漏极电流 (ID)8.2 A
    最大漏源导通电阻0.00695 Ω
    FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反馈电容 (Crss)162 pF
    JESD-30 代码R-PDSO-F5
    JESD-609代码e3
    湿度敏感等级1
    元件数量1
    端子数量5
    工作模式ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度150 °C
    最低工作温度-55 °C
    封装主体材料PLASTIC/EPOXY
    封装形状RECTANGULAR
    封装形式SMALL OUTLINE
    极性/信道类型N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)23.6 W
    表面贴装YES
    端子面层Tin (Sn)
    端子形式FLAT
    端子位置DUAL
    晶体管应用SWITCHING
    晶体管元件材料SILICON

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